Artículo No:
GS-C046Pago:
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Anhui, Chinatamaño máximo:
dia100mmorientación:
paquete:
100 clean bag，1000 exactly clean bagDetalle del producto
Especificación
Flujo del proceso
embalaje
Transporte
Preguntas más frecuentes
Principales parámetros de rendimiento | |
Método de crecimiento | Hidrotermal |
Estructura cristalina | Seis partidos |
Constante de celosía | a = 4,914 Å c = 5,405 Å |
Punto de fusión (℃) | 1610 ° C (punto de transición de fase: 573.1 ° C) |
densidad | 2,684 g / cm 3 |
dureza | 7 (mohs) |
Fusión en caliente | 0.18cal / gm |
Conductividad térmica | 0,0033cal / cm ℃ |
Constante termoeléctrica | 1200uv / ℃ (300 ℃) |
Índice de refracción | 1.544 |
Coeficiente de expansión térmica | α11: 13,71 × 10 6 / ℃ α33: 7,48 × 10 6 / ℃ |
Valor Q | 1.8 × 10 6 min |
Velocidad del sonido, nivel del sonómetro | 3160 (m / seg) |
Constante de frecuencia | 1661 (kHz / mm) |
Acoplamiento piezoeléctrico | K2 (%) BAW: 0,65 SIERRA: 0,14 |
Orientación cristalina | Corte Y, X o Z, rotación de un valor arbitrario dentro de un alcance de 30º ~ 42,75º ± 5 minutos orientación primaria: según los requisitos del cliente dirección ± 30 min -Lado de posicionamiento en el tiempo: según la dirección de los requisitos del cliente semilla: en el centro, el ancho <5 mm, Alto> 66 mm |
Superficie pulida | Pulido epitaxial: pulido simple o pulido doble Ra <10Å área de trabajo: diámetro del sustrato -3 mm curvatura: Φ3 ″ <20um, Φ4 ″ <30um área de trabajo sin astillado, en el borde, ancho de astillado <0,5 mm hoyos y rayones: cada pieza <3, cada 100 piezas <20 |
Espesor estándar | 0,5 mm ± 0,05 mm TTV <5um |
Diámetro estándar | Φ2 ″ (50,8 mm), Φ3 ″ (76,2 mm), Φ4 ″ (100 mm) ± 0,2 mm Borde de posicionamiento primario: 22 ± 1,5 mm (Φ3 ″) 32 ± 3,0 (Φ4 ″) Borde de posicionamiento secundario: 10 mm ± 1,5 mm |
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