Fábrica de materiales óptico dióxido de silicio cuarzo SiO2 sustrato de cristal único fabricante de China

La oblea de cristal monocristalino de SiO2 es un sustrato excelente para los filtros de microondas en la industria de las comunicaciones inalámbricas.
  • Artículo No:

    GS-C046
  • Pago:

    L/C、 Western Union、 D/P、 T/T
  • Origen del producto:

    Anhui, China
  • tamaño máximo:

    dia100mm
  • orientación:

  • paquete:

    100 clean bag,1000 exactly clean bag
  • Detalle del producto

  • Especificación

  • Flujo del proceso

  • embalaje

  • Transporte

  • Preguntas más frecuentes

La oblea de cristal monocristalino de SiO2 es un sustrato excelente para los filtros de microondas en la industria de las comunicaciones inalámbricas.
Principales parámetros de rendimiento
Método de crecimiento
Hidrotermal
Estructura cristalina
Seis partidos
Constante de celosía
a = 4,914 Å c = 5,405 Å
Punto de fusión (℃)
1610 ° C (punto de transición de fase: 573.1 ° C)
densidad
2,684 g / cm 3
dureza
7 (mohs)
Fusión en caliente
0.18cal / gm
Conductividad térmica
0,0033cal / cm ℃
Constante termoeléctrica
1200uv / ℃ (300 ℃)
Índice de refracción
1.544
Coeficiente de expansión térmica
α11: 13,71 × 10 6 / ℃ α33: 7,48 × 10 6 / ℃
Valor Q
1.8 × 10 6 min
Velocidad del sonido, nivel del sonómetro
3160 (m / seg)
Constante de frecuencia
1661 (kHz / mm)
Acoplamiento piezoeléctrico
K2 (%) BAW: 0,65 SIERRA: 0,14
Orientación cristalina
Corte Y, X o Z, rotación de un valor arbitrario dentro de un alcance de 30º ~ 42,75º ± 5 minutos
orientación primaria: según los requisitos del cliente dirección ± 30 min
-Lado de posicionamiento en el tiempo: según la dirección de los requisitos del cliente
semilla: en el centro, el ancho <5 mm, Alto> 66 mm
Superficie pulida
Pulido epitaxial: pulido simple o pulido doble Ra <10Å
área de trabajo: diámetro del sustrato -3 mm
curvatura: Φ3 ″ <20um, Φ4 ″ <30um
área de trabajo sin astillado, en el borde, ancho de astillado <0,5 mm
hoyos y rayones: cada pieza <3, cada 100 piezas <20
Espesor estándar
0,5 mm ± 0,05 mm TTV <5um
Diámetro estándar
Φ2 ″ (50,8 mm), Φ3 ″ (76,2 mm), Φ4 ″ (100 mm) ± 0,2 mm
Borde de posicionamiento primario: 22 ± 1,5 mm (Φ3 ″) 32 ± 3,0 (Φ4 ″)
Borde de posicionamiento secundario: 10 mm ± 1,5 mm



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