Fábrica de material láser Nd dopado con vanadato de itrio Nd: bombeo de diodo YVO4 entre el fabricante de cristal de host láser de China

El vanadato de itrio dopado con Nd (Nd: YVO4) es el cristal anfitrión de láser más eficiente para bombeo de diodos entre los cristales láser comerciales actuales, especialmente para potencia baja a media.
  • Artículo No:

    GS-L006
  • Pago:

    L/C、 Western Union、 D/P、 T/T
  • Origen del producto:

    Anhui, China
  • tamaño máximo:

    Dia40mm
  • orientación:

    <100>、<110>、<111>
  • paquete:

    100 clean bag,1000 exactly clean bag
  • Detalle del producto

  • Especificación

  • Flujo del proceso

  • embalaje

  • Transporte

  • Preguntas más frecuentes


El vanadato de itrio dopado con Nd (Nd: YVO4) es el cristal anfitrión de láser más eficiente para bombeo de diodos entre los cristales láser comerciales actuales, especialmente para potencia baja a media.

Greestals ofrece:
Varias concentraciones de dopaje de 0,1% a 3%
Tolerancia a la concentración de dopaje: ± 0.05% (atm% <1%), ± 0.1% (atm% ≥1%)
Con entrega rapida
Con precio competitivo
SOLICITUD:
Láser industrial
Láser médico
Sistema de espectáculo láser
Se utiliza principalmente para láseres de estado sólido de baja y media potencia CW y QCW de bombeo final.
VENTAJA:
Umbral de láser bajo y alta eficiencia de pendiente
Gran sección transversal de emisión estimulada a longitud de onda láser
Alta absorción en un amplio ancho de banda de longitud de onda de bombeo.
Birrefringencia uniaxial y grande, emite láser polarizado
Dependencia baja de la longitud de onda de bombeo y salida de modo único fácil de obtener
Dopante 0,1% ~ 3% Orientación CORTE A +/- 0,5 °
Tamaño & Tolerancia Ancho (+/- 0,1) * Alto (+/- 0,1) * L (+ 0,5 / -0,1) mm
Calidad de la superficie 10/5 Perpendicularidad ≤5 ′
Paralelismo ≤10 ″ Bisel <0,2 mm x 45 °
Llanura λ / 10 a 633 nm Papas fritas <0,1 mm
TWD λ / 6 a 633 nmCA ≥95%
Revestimientos

C1 --- AR @ 1064 (R <0.2%) C2 --- AR @ 1064 (R <0.2%) & 532 (R <0.5%) C3 --- AR @ 1064 (R <0.2%) & 808 (R <0,5%)

C4 --- AR @ 1064 (R <0.2%) & 532 (R <0.5%) & 808 (R <3%) C5 --- HR @ 1064 (R> 99.8%) & HT @ 808 ( T> 95%)

C6 --- HR @ 1064 (R> 99,8%) & 532 (R> 99,5%) & HT @ 808 (T> 95%)


P / N Dopaje Ángulo de corte Tamaño (mm) Revestimiento
NYV-20-331-C6 / C22% UN CORTE 3x3x1 S1: HR @ 1064 & 532 & HT @ 808nm S2: AR @ 1064 & 532nm
NYV-10-332-C6 / C21% UN CORTE 3x3x2 S1: HR @ 1064 & 532 & HT @ 808nm S2: AR @ 1064 & 532nm
NYV-10-333-C6 / C21% UN CORTE 3x3x3 S1: HR @ 1064 & 532 & HT @ 808nm S2: AR @ 1064 & 532nm
NYV-07-333-C6 / C2 0,7% UN CORTE 3x3x3 S1: HR @ 1064 & 532 & HT @ 808nm S2: AR @ 1064 & 532nm
NYV-07-333-C4 / C2 0,7% UN CORTE 3x3x3 S1: AR @ 1064 & 532 & 808nm S2: AR @ 1064 & 532nm
NYV-07-335-C4 / C2 0,7% UN CORTE 3x3x5 S1: HR @ 1064 & 532 & HT @ 808nm S2: AR @ 1064 & 532nm
NYV-05-335-C5 / C1 0,5% UN CORTE 3x3x5 S1: HR @ 1064 & 808nm S2: AR @ 1064nm
NYV-05-3310-C3 / C1 0,5% UN CORTE 3x3x10 S1: AR @ 1064 & 808nm S2: AR @ 1064nm
NYV-03-3310-C3 / C1 0,3% UN CORTE 3x3x10 S1: AR @ 1064 & 808nm S2: AR @ 1064nm
NYV-03-3312-C3 / C1 0,3% UN CORTE 3x3x12 S1: AR @ 1064 & 808nm S2: AR @ 1064nm
NYV-027-3310-C3 / C1 0,27% UN CORTE 3x3x10 S1: AR @ 1064 & 808nm S2: AR @ 1064nm
NYV-027-3312-C3 / C1 0,27% UN CORTE 3x3x12 S1: AR @ 1064 & 808nm S2: AR @ 1064nm
NYV-02-3310-C3 / C1 0,2% UN CORTE 3x3x10 S1: AR @ 1064 & 808nm S2: AR @ 1064nm
NYV-02-3312-C3 / C1 0,2% UN CORTE 3x3x12 S1: AR @ 1064 & 808nm S2: AR @ 1064nm

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