Artículo No:
GS-L006Pago:
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Anhui, Chinatamaño máximo:
Dia40mmorientación:
<100>、<110>、<111>paquete:
100 clean bag,1000 exactly clean bagDetalle del producto
Especificación
Flujo del proceso
embalaje
Transporte
Preguntas más frecuentes
El vanadato de itrio dopado con Nd (Nd: YVO4) es el cristal anfitrión de láser más eficiente para bombeo de diodos entre los cristales láser comerciales actuales, especialmente para potencia baja a media.
Dopante | 0,1% ~ 3% | Orientación | CORTE A +/- 0,5 ° |
Tamaño & Tolerancia | Ancho (+/- 0,1) * Alto (+/- 0,1) * L (+ 0,5 / -0,1) mm | ||
Calidad de la superficie | 10/5 | Perpendicularidad | ≤5 ′ |
Paralelismo | ≤10 ″ | Bisel | <0,2 mm x 45 ° |
Llanura | λ / 10 a 633 nm | Papas fritas | <0,1 mm |
TWD | λ / 6 a 633 nm | CA | ≥95% |
Revestimientos | C1 --- AR @ 1064 (R <0.2%) C2 --- AR @ 1064 (R <0.2%) & 532 (R <0.5%) C3 --- AR @ 1064 (R <0.2%) & 808 (R <0,5%) C4 --- AR @ 1064 (R <0.2%) & 532 (R <0.5%) & 808 (R <3%) C5 --- HR @ 1064 (R> 99.8%) & HT @ 808 ( T> 95%) C6 --- HR @ 1064 (R> 99,8%) & 532 (R> 99,5%) & HT @ 808 (T> 95%) | ||
P / N | Dopaje | Ángulo de corte | Tamaño (mm) | Revestimiento |
NYV-20-331-C6 / C2 | 2% | UN CORTE | 3x3x1 | S1: HR @ 1064 & 532 & HT @ 808nm S2: AR @ 1064 & 532nm |
NYV-10-332-C6 / C2 | 1% | UN CORTE | 3x3x2 | S1: HR @ 1064 & 532 & HT @ 808nm S2: AR @ 1064 & 532nm |
NYV-10-333-C6 / C2 | 1% | UN CORTE | 3x3x3 | S1: HR @ 1064 & 532 & HT @ 808nm S2: AR @ 1064 & 532nm |
NYV-07-333-C6 / C2 | 0,7% | UN CORTE | 3x3x3 | S1: HR @ 1064 & 532 & HT @ 808nm S2: AR @ 1064 & 532nm |
NYV-07-333-C4 / C2 | 0,7% | UN CORTE | 3x3x3 | S1: AR @ 1064 & 532 & 808nm S2: AR @ 1064 & 532nm |
NYV-07-335-C4 / C2 | 0,7% | UN CORTE | 3x3x5 | S1: HR @ 1064 & 532 & HT @ 808nm S2: AR @ 1064 & 532nm |
NYV-05-335-C5 / C1 | 0,5% | UN CORTE | 3x3x5 | S1: HR @ 1064 & 808nm S2: AR @ 1064nm |
NYV-05-3310-C3 / C1 | 0,5% | UN CORTE | 3x3x10 | S1: AR @ 1064 & 808nm S2: AR @ 1064nm |
NYV-03-3310-C3 / C1 | 0,3% | UN CORTE | 3x3x10 | S1: AR @ 1064 & 808nm S2: AR @ 1064nm |
NYV-03-3312-C3 / C1 | 0,3% | UN CORTE | 3x3x12 | S1: AR @ 1064 & 808nm S2: AR @ 1064nm |
NYV-027-3310-C3 / C1 | 0,27% | UN CORTE | 3x3x10 | S1: AR @ 1064 & 808nm S2: AR @ 1064nm |
NYV-027-3312-C3 / C1 | 0,27% | UN CORTE | 3x3x12 | S1: AR @ 1064 & 808nm S2: AR @ 1064nm |
NYV-02-3310-C3 / C1 | 0,2% | UN CORTE | 3x3x10 | S1: AR @ 1064 & 808nm S2: AR @ 1064nm |
NYV-02-3312-C3 / C1 | 0,2% | UN CORTE | 3x3x12 | S1: AR @ 1064 & 808nm S2: AR @ 1064nm |