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fabricante de sustrato de cristal único gan de nitruro de galio de china

GaN CRYSTAL
GaN CRYSTAL GaN CRYSTAL GaN CRYSTAL GaN CRYSTAL

fabricante de sustrato de cristal único gan de nitruro de galio de china

el sustrato de HVPE es: homoepitaxia, gan sobre gan
homogeneidad: alta calidad, alto costo, tecnología difícil (dislocación 103-106 / cm2)

  • Artículo No:

    GS-C012

  • Pago:

    L/C、 Western Union、 D/P、 T/T

  • Origen del producto:

    Anhui, China

  • tamaño máximo:

    Dia100mm

  • orientación:

    <0001>、<10-10>

  • paquete:

    100 clean bag，1000 exactly clean bag
Investigación ahora

  • Detalle del producto

  • Especificación

  • Flujo del proceso

  • embalaje

  • Transporte

  • Preguntas más frecuentes

Especificación de oblea gan independiente de 2 pulgadas


ít

especificación

especificación de cristal

producción（grado）

investigación (grado)

ficticio (graduación)

tipo de cristal

cristal individual

orientación

(0 0 0 1) carátula

Ángulo fuera del plano c hacia el eje tom

0.5° ±0.15°

Ángulo fuera del plano c hacia el eje a

0° ±0.15°

(002)FWHM

< 100 segundos de arco

(102)

< 100 segundos de arco

celosíaradiodecurvatura

> 10 m (medido al 80% x diámetro)




especificación eléctrica

elementos de dopaje

resistividad a temperatura ambiente (300k)

tipo n (silicio)

≤0.02ohm-cm

fluido

≤0.2ohm-cm

semi-aislante (carbono)

> 1e8ohm-cm

especificación de forma

Orientación del piso principal

plano m (10-10), ±2°(st),±2° (

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