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Anhui, Chinatamaño máximo:
Dia76.5mmorientación:
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Preguntas más frecuentes
InAs sustrato monocristalino
En InAs, el sustrato de cristal único se puede cultivar como InAsSb / In - AsPSb, InNAsSb, otra heteroestructura, que un dispositivo emisor de luz infrarroja de 2 ~ 14 \ mu m de longitud de onda, con el sustrato de cristal único de InAs también se puede cultivar epitaxialmente en materiales de estructura de superrejilla de AlGaSb , Producción de láseres en cascada cuántica de infrarrojo medio..Los dispositivos infrarrojos tienen una buena perspectiva en el campo de la monitorización de gases y otras comunicaciones de fibra óptica de baja pérdida.Además, el monocristal de InAs que tiene una alta movilidad de electrones está formando un pasillo sobre el material del dispositivo.Como sustrato monocristalino, los materiales de InAs deben tener una baja densidad de dislocación, buena integridad de la red, parámetros eléctricos adecuados y alta uniformidad.El principal método de crecimiento de los materiales monocristalinos de InP es la tecnología tradicional de Czochralski (LEC) sellada con líquido.
Cristales | estructura | Orientación cristalina | Punto de fusion o C | densidad g / cm 3 | Ancho de banda prohibido | |
InAs | cubo, a = 6.058 A | <100> | 942 | 5.66 | 0.45 | |
Principales parámetros de rendimiento | |||||||
Cristal individual | Dopaje | Tipo de conductividad | Concentración de portadores cm -3 | Movilidad (cm 2 / Vs) | Densidad de dislocación (cm -2) | Sustrato estándar | |
InAs | Intrínseco | N | 5 * 10 16 | 2 * 10 4 | <5 * 10 4 | Φ2â € ³ × 0.5 mm Φ3â € ³ × 0.5 mm | |
InAs | Sn | N | (5-20) * 10 17 | > 2000 | <5 * 10 4 | Φ2â € ³ × 0.5 mm Φ3â € ³ × 0.5 mm | |
InAs | Zn | P | (1-20) * 10 17 | 100-300 | <5 * 10 4 | Φ2â € ³ × 0.5 mm Φ3â € ³ × 0.5 mm | |
InAs | S | N | (1-10) * 10 17 | > 2000 | <5 * 10 4 | Φ2â € ³ × 0.5 mm Φ3â € ³ × 0.5 mm | |
Tamaño (mm) | Dia50.8x0.5 mm, 10 × 10 × 0.5 mm, 10:6 ° 6:0.5 mm se pueden personalizar de acuerdo con las necesidades del cliente, la orientación especial y el tamaño del sustrato | ||||||
Rugosidad de la superficie | Rugosidad superficial (Ra) : <= 5A Se puede proporcionar un informe de prueba de microscopía de partículas atómicas (AFM) | ||||||
pulido | De una cara o de dos caras | ||||||
Paquete | Bolsa limpia clase 100, sala súper limpia clase 1000 |