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Anhui, Chinatamaño máximo:
Dia100mmorientación:
<100>、<110>、<111>paquete:
100 clean bag,1000 exactly clean bagDetalle del producto
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Preguntas más frecuentes
Sustrato monocristalino de GaSb
Los monocristales de GaSb coinciden con las constantes de celosía de varias soluciones sólidas de compuestos ternarios y cuaternarios III-V con bandas en el 0,8 ~ 4.Amplio rango espectral de 3um debido a su constante de celosía, debido a que GaSb se puede usar como material de sustrato.una perspectiva de aplicación potencial en la fabricación de dispositivos de microondas.Los principales métodos de crecimiento de los materiales monocristalinos de GaS incluyen la tecnología tradicional Czochralski sellada con líquido (LEC), la tecnología LEC mejorada, el método de calentamiento en movimiento / tecnología de solidificación de gradiente vertical (VGF) / Bridgman vertical
Cristales | Estructura | Orientación cristalina | Punto de fusion o C | Densidad g / cm 3 | Ancho de banda prohibido | |
GaSb | Cúbico a = 6.094A | <100> | 712 | 5.53 | 0.67 | |
Principales parámetros de rendimiento | |||||||
Cristal individual | Dopaje | Tipo de conductividad | Concentración de portadores cm -3 | Movilidad (cm 2 / Vs) | Densidad de dislocación (cm -2) | Sustrato estándar | |
GaSb | Intrínseco | P | (1-2) * 10 17 | 600-700 | 【 Š1 * 10 4 | Φ2â € ³ × 0.5 mm Φ3â € ³ × 0.5 mm | |
GaSb | Zn | P | (5-100) * 10 17 | 200-500 | 【 Š1 * 10 4 | Φ2â € ³ × 0.5 mm Φ3â € ³ × 0.5 mm | |
GaSb | Te | N | (1-20) ´ 10 17 | 2000-3500 | 【 Š1 * 10 4 | Φ2â € ³ × 0.5 mm Φ3â € ³ × 0.5 mm | |
Tamaño (mm) | Dia50.8x0.5 mm, 10 × 10 × 0.5 mm, 10:6 ° 6:0.5 mm se pueden personalizar de acuerdo con las necesidades del cliente, la orientación especial y el tamaño del sustrato | ||||||
Rugosidad de la superficie | Rugosidad superficial (Ra) : <= 5A Se puede proporcionar un informe de prueba de microscopía de partículas atómicas (AFM) | ||||||
pulido | De una cara o de dos caras | ||||||
Embalaje | Bolsa limpia clase 100, sala súper limpia clase 1000 |