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Sustrato cerámico de alúmina
El sustrato cerámico, también conocido como sustrato cerámico, es un material en forma de hoja basado en cerámica electrónica que forma una base de soporte para los componentes del circuito de membrana y los componentes de unión externos. El sustrato cerámico tiene las principales ventajas de resistencia a altas temperaturas, alto aislamiento eléctrico, baja constante dieléctrica y pérdida dieléctrica, gran conductividad térmica, buena estabilidad química y coeficiente de expansión térmica similar al componente. Sin embargo, el sustrato cerámico es relativamente frágil y está hecho. El área del sustrato es pequeña y el costo es alto.
La producción, el desarrollo y la aplicación reales de los materiales de sustrato cerámico incluyen Al2O3, AlN, SiC, BeO, BN, zirconia y vitrocerámica. Aunque la conductividad térmica del sustrato cerámico Al2O3 no es alta (20W / mK), se ha convertido en el sustrato cerámico más utilizado debido a su proceso de producción relativamente simple, bajo costo y bajo precio.
Utilice generalmente el método de fundición de cinta para producir un sustrato de cerámica de alúmina, se agrega 96% de material de sustrato de cerámica de alúmina a las materias primas minerales adecuadas como fundente, temperaturas de calcinación tan bajas como 1580 ℃ ~ 1600 ℃, la densidad del producto puede ser de hasta 3,75 g / cm3 o más. Para productos con requisitos de alta precisión dimensional, después de la cocción, se pueden utilizar métodos de procesamiento láser para trazar y perforar orificios en el sustrato con una precisión de ± 0,05 mm.
Pureza: 98%,
Color: blanco lechoso
Tamaño: dentro de 100x100x1.0mm, se puede cortar según los requisitos del cliente
Rugosidad de la superficie: <0.01um (después de pulir); <1um (en blanco)
parámetro | unidad | A476T | |
Densidad | g / cm3 | 3,78 | |
Dureza (HV) | GPa | 13,9 | |
Fuerza flexible | GPa | 380 | |
Conductividad térmica | W / mK | 26 | |
Coeficiente de expansión térmica 40 ~ 400 ° | m / K | 7.2x10 - 6 | |
Constante dieléctrica | @ 1MHZ | 9,6 | |
Ángulo de pérdida dieléctrica | @ 1MHZ | 3.0x10 & lt - 4 | |
Resistividad de volumen | @ 25 ℃ | Ohm.cm | > 10 14 |
@ 300 ℃ | Ohm.cm | 1.0x10 10 | |
@ 500 ℃ | Ohm.cm | 1.0x10 8 |