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Semiconductor crystal

2 " Pulgada de nitruro de galio Gan Substrato de cristal único

GaN substrate
GaN substrate GaN substrate GaN substrate GaN substrate

2 " Pulgada de nitruro de galio Gan Substrato de cristal único

El sustrato de HVPE es: Homoepitaxy, Gan en Gan
Homogeneity: alta calidad, alto costo, tecnología difícil (dislocación 103-106 / cm2)

  • Artículo No:

    GS-C012

  • Pago:

    L/C、 Western Union、 D/P、 T/T

  • Origen del producto:

    Anhui, China

  • tamaño máximo:

    Dia100mm

  • orientación:

    <0001>、<10-10>

  • paquete:

    100 clean bag，1000 exactly clean bag
Investigación ahora

  • Detalle del producto

  • Especificación

  • Flujo del proceso

  • embalaje

  • Transporte

  • Preguntas más frecuentes

2 pulgadas de pie libre Especificación de Gan Wafer


Articulo

especificación

Crystalspecificación

Producción (PGRADE)

Investigación (RGRADE)

Dummy (DGRADE)

CrystalType

Singlecrystal

orientación

(0 0 0 1) GAFACE

C-Plane Ángulo de apagado HOMPOR DE AXIÓN

0.5 ° ± 0.15 °

C-Plane Ángulo de apagado Hacia hacia el eje

0 ° ± 0.15 °

(002) FWHM

< 100 arcsec

(102) FWHM

< 100 arcsec

Latticeradiusofcurvature

> 10 m (medido en 80% Xdiameter)




ElectricalSpecificación

DOPINGELEMENTOS

temperatura ambiente Resistividad (300k)

Tipo N (silicona)

≤0.02ohm-cm

UID

≤0.2ohm-cm

Semi-aislante (carbono)

> 1e8ohm-cm

Forma de formas

MAYORFLORATORIENTE

M-plano (10-10), ± 2 ° (ST), ± 2 ° (

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